Mosfet IRF 540

Mosfet IRF540 là mosfet kênh N hay mosfet ngược.

Mosfet IRF540 là Transistor hiệu ứng trường (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) là một Transistor  đặc biệt có cấu tạo và hoạt động khác với Transistor thông thường. Mosfet thường có công suất lớn hơn rất nhiều so với BJT, Mosfet IRF540 có công suất là 100W. Đối với tín hiệu 1 chiều thì nó coi như là 1 khóa.

Thông số kỹ thuật

        Điện áp đánh thủng: 100V.

        Điện áp V_GS = +/-20V

        Dòng chịu đựng trung bình: 23A.

        Nhiệt độ hoạt động: -55^oC ~ 150^oC.

        Công suất: 100W